英飛凌推出采用全新 EasyPACK™ C 封裝的碳化硅功率模塊，助力提升工業(yè)應(yīng)用的能效與使用壽命

【2025年10月29日,德國慕尼黑訊】工業(yè)領(lǐng)域中的快速直流電動汽車（EV）充電、兆瓦級充電、儲能系統(tǒng)，以及不間斷電源設(shè)備，往往需要在嚴苛環(huán)境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應(yīng)用對高能效、穩(wěn)定的功率循環(huán)能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了EasyPACK™ C系列產(chǎn)品——EasyPACK™封裝家族的新一代產(chǎn)品。該全新封裝系列的首款產(chǎn)品為碳化硅（SiC）功率模塊，集成了英飛凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2技術(shù)，并采用了公司專有的.XT互連技術(shù)。通過降低靜態(tài)損耗并提高可靠性，這些模塊有助于滿足工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域日益增長的能源需求，并助力實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)。

憑借英飛凌的CoolSiC™ MOSFET G2技術(shù)，新產(chǎn)品較上一代CoolSiC™ MOSFET功率密度提升超過30%，使用壽命延長高達20倍。此外，該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）顯著降低約25%。不僅如此，全新的EasyPACK™ C封裝設(shè)計理念進一步提高了功率密度與布局靈活性，為未來更高電壓等級的產(chǎn)品設(shè)計奠定了基礎(chǔ)。而英飛凌的.XT互連技術(shù)進一步延長了器件的使用壽命。

英飛凌CoolSiC™ MOSFET Easy 2C .XT

該系列模塊可承受結(jié)溫（Tvj(over)）高達200°C的過載開關(guān)工況。搭載全新PressFIT壓接引腳，其電流承載能力提升一倍，同時降低PCB板的溫度，并優(yōu)化安裝流程。全新的塑封材質(zhì)與硅凝膠設(shè)計，支持該模塊在最高175°C的結(jié)溫（Tvj(op)）下依然穩(wěn)定運行。此外，該系列模塊還具備一分鐘內(nèi)耐受3千伏交流電的隔離等級。這些特性共同助力該模塊實現(xiàn)更卓越的系統(tǒng)能效、更長的使用壽命，以及更出色的耐高溫性能。

采用EasyPACK™ C封裝的全新模塊提供多種拓撲結(jié)構(gòu)，包括三電平（3-level）和H橋（H-bridge）配置，且同時提供含/不含熱界面材料的兩種版本。