《2025存力發(fā)展報告》：我國存力規(guī)模達(dá)1680EB，國產(chǎn)存儲介質(zhì)、芯片、系統(tǒng)實現(xiàn)三級突破

8月23日，在2025中國算力大會開幕式上，《2025存力發(fā)展報告》（以下簡稱“報告”）正式發(fā)布。報告顯示，截至今年6月底，我國存力規(guī)模達(dá)1680EB。存力建設(shè)邁向協(xié)同升級新階段，呈現(xiàn)出區(qū)域梯次布局、單機(jī)架密度提升、閃存滲透率提高的三大特征。

報告顯示，截至今年3月底，在區(qū)域存力規(guī)模方面，東部占比55%，中部增長39%，西部增長63%。在先進(jìn)存力應(yīng)用方面，全國外置閃存占比超過28%，金融、制造、互聯(lián)網(wǎng)三個行業(yè)滲透率超45%。

數(shù)據(jù)時代驅(qū)動存力技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展，全閃存化建設(shè)成為AI基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)先選擇。報告顯示，大模型訓(xùn)練對存儲提出毫秒級延遲、TB級帶寬、EB級擴(kuò)展要求，推動全閃化、AI數(shù)據(jù)湖、內(nèi)生存儲安全等技術(shù)同步發(fā)展。介質(zhì)層面，閃存顆粒3D堆疊層數(shù)突破300層，單位可用容量成本基本與HDD持平；系統(tǒng)層面，NVMe-oF、RDMA網(wǎng)絡(luò)與分布式糾刪碼組合方案已在金融、電信運營、醫(yī)療等典型場景中批量應(yīng)用；基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)方面，先進(jìn)存力中心建設(shè)模式已在全國進(jìn)行試點并開展產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

報告指出，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力持續(xù)增強，國產(chǎn)存儲介質(zhì)、芯片、系統(tǒng)實現(xiàn)三級突破。上游方面，長江存儲QLC芯片單晶粒容量達(dá)2Tb；中國科學(xué)院上海光機(jī)所光存儲實現(xiàn)單盤Pb級、壽命可達(dá)40年。中游方面，華為、曙光、浪潮等企業(yè)完成從SSD控制器、分布式存儲系統(tǒng)到整機(jī)的垂直整合，國產(chǎn)存儲產(chǎn)品連續(xù)多年在全球評估體系中蟬聯(lián)榜首。下游方面，金融、醫(yī)療、能源三大行業(yè)的國產(chǎn)化存儲應(yīng)用方案已覆蓋核心應(yīng)用場景，并形成可復(fù)制推廣的標(biāo)準(zhǔn)體系。

報告顯示，先進(jìn)存力正成為支撐金融、電信、醫(yī)療、能源等行業(yè)轉(zhuǎn)型升級、高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵力量，在構(gòu)建金融安全合規(guī)體系、搭建運營商云網(wǎng)融合彈性底座、保障醫(yī)療關(guān)鍵場景零中斷、支撐能源系統(tǒng)智能化轉(zhuǎn)型等方面有顯著效果。

報告還提出了推動中國存力發(fā)展的戰(zhàn)略建議，包括加強先進(jìn)存儲技術(shù)創(chuàng)新、探索先進(jìn)存力中心建設(shè)模式、推廣先進(jìn)存儲技術(shù)應(yīng)用等，旨在通過技術(shù)創(chuàng)新和政策引導(dǎo)，促進(jìn)存力技術(shù)的高質(zhì)量發(fā)展，為中國數(shù)字經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長提供堅實支撐。