英飛凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列，提供超低導(dǎo)通電阻和新型封裝

【2026年1月12日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新封裝的CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在為汽車和工業(yè)電源應(yīng)用提供超高系統(tǒng)效率和功率密度。該系列現(xiàn)提供Q-DPAK、D2PAK等多種封裝，產(chǎn)品組合覆蓋在25°C情況下的典型導(dǎo)通電阻（RDS(on)）值60 mΩ。

CoolSiC™MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創(chuàng)新的頂部散熱Q-DPAK封裝，該封裝可提供極佳的熱性能與可靠性

此次擴(kuò)展加入的產(chǎn)品涵蓋多種應(yīng)用，例如汽車行業(yè)的車載充電器和高低壓DCDC轉(zhuǎn)換器，以及工業(yè)應(yīng)用中的服務(wù)器和電信開關(guān)電源（SMPS）和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施等。其4 mΩ超低導(dǎo)通電阻可支持對靜態(tài)開關(guān)性能有特殊要求的應(yīng)用，例如eFuse、高壓電池隔離開關(guān)、固態(tài)斷路器和固態(tài)繼電器等。憑借這一領(lǐng)先的性能，設(shè)計(jì)人員能夠開發(fā)出更高效、更緊湊且更可靠的系統(tǒng)，以滿足各類嚴(yán)苛的要求。

CoolSiC™MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創(chuàng)新的頂部散熱Q-DPAK封裝，該封裝可提供極佳的熱性能與可靠性。該封裝專為輕松應(yīng)對高功率應(yīng)用而開發(fā)，非常適合想要突破功率密度和效率極限的設(shè)計(jì)人員。該技術(shù)還具有出色的RDS(on) x QOSS和出色的RDS(on) x Qfr，可有效降低硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的開關(guān)損耗，尤其是在硬開關(guān)用戶案例中具有出色的效率。

此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2兼具高閾值電壓VGS(th)（25°C情況下典型值為4.5 V）和超低QGD/QGS比值，增強(qiáng)了其對寄生導(dǎo)通（PTO）的抗擾性。該系列還具有更強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)能力，支持的靜態(tài)柵極電壓和瞬態(tài)柵極電壓分別可達(dá)-7 V和-11 V。這種增強(qiáng)的耐壓性為工程師提供了更大的設(shè)計(jì)裕量，實(shí)現(xiàn)了與市面上其他器件的高度兼容。

供貨情況

現(xiàn)已推出CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/20/33/40/50 mΩ和D2PAK 7/25/33/40/50/60 mΩ的樣品。更多信息，敬請?jiān)L問http://www.infineon.com/coolsic-750v。