英飛凌推出業(yè)界首款電流密度超2 A/mm²的TLVR四相電源模組，助力提升下一代AI計(jì)算性能

【2026年4月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布搭載TLVR（跨電感穩(wěn)壓器）技術(shù)的高電流密度四相電源模組，以滿足先進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心對(duì)電力需求的不斷增長。TDM24745T是一款全新的OptiMOS™四相電源模組，專為滿足下一代AI加速器快速增長的電力需求而設(shè)計(jì)。該模組將四個(gè)功率級(jí)、TLVR電感和解耦電容集成到緊湊的9 x 10 x 5 mm³封裝中，提供業(yè)界領(lǐng)先的電流密度，高達(dá)2 A/mm²以上。這項(xiàng)組合實(shí)現(xiàn)了卓越的瞬態(tài)性能，支持高級(jí)GPU和AI處理器所需的高電流核心供電，并適用于橫向和垂直的電力傳輸配置。

作為業(yè)界首款采用此類緊湊封裝的TLVR四相電源模組，英飛凌的TDM24745T產(chǎn)品提供高達(dá)320 A的峰值電流能力

英飛凌科技電源IC與連接系統(tǒng)高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Athar Zaidi表示：“隨著AI的工作負(fù)荷以前所未有的速度增長，對(duì)高效且超緊湊的供電需求比以往任何時(shí)候都更加迫切。借助TDM24745T，我們重新定義了高電流穩(wěn)壓的可能性。通過將業(yè)界領(lǐng)先的電流密度與先進(jìn)的TLVR技術(shù)集成到極小型的封裝中，我們幫助客戶更好地發(fā)揮計(jì)算性能、降低能耗，并加速下一代AI數(shù)據(jù)中心的部署�！�

隨著AI數(shù)據(jù)中心的電力需求不斷提升，電力架構(gòu)也必須變得更加緊湊、靈敏和高效。TDM24745T通過簡化電力架構(gòu)設(shè)計(jì)和提升功率密度，騰出了額外的PCB空間來容納更多計(jì)算資源，并同時(shí)提供極快的瞬態(tài)響應(yīng)。TLVR架構(gòu)還能將所需的輸出電容降低多達(dá)50%，幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高效、節(jié)省空間的布局，從而直接為能源節(jié)約和降低AI服務(wù)器平臺(tái)的總體擁有成本（TCO）做出貢獻(xiàn)。

作為業(yè)界首款采用此類緊湊封裝的TLVR四相模組，TDM24745T提供高達(dá)320 A的峰值電流能力，特別適用于下一代AI處理器和高電流多處理器平臺(tái)。結(jié)合英飛凌的數(shù)字多相控制器，該模組支持靈活、可擴(kuò)展的架構(gòu)，加速在快速演進(jìn)的AI環(huán)境中完成系統(tǒng)部署。憑借OptiMOS™-6 MOSFET技術(shù)、芯片嵌入式集成技術(shù)和專有的磁性元件技術(shù)，該模組即使在最緊湊的AI服務(wù)器設(shè)計(jì)中仍能提供更佳的效率與熱性能，助力打造更節(jié)能的AI數(shù)據(jù)中心。

TDM24745T電源模組已無縫集成于英飛凌端到端AI服務(wù)器供電生態(tài)系統(tǒng)中，涵蓋從電網(wǎng)接口到核心處理器供電的所有環(huán)節(jié)。英飛凌以硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術(shù)的綜合優(yōu)勢(shì)，提供全面、可擴(kuò)展的解決方案，助力實(shí)現(xiàn)AI優(yōu)化數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的出色效率、可靠性和功率密度。

供貨情況

欲了解更多關(guān)于TDM24745T OptiMOS™四相電源模組的信息，敬請(qǐng)?jiān)L問：英飛凌官網(wǎng)。