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英飛凌與為光能源深度攜手,共筑固態(tài)變壓器(SST)高可靠新未來

2026年4月9日 17:33CCTIME飛象網(wǎng)

【2026年4月9日,中國上海訊】近日,英飛凌科技(以下簡稱“英飛凌”)與西安為光能源科技有限公司(以下簡稱“為光能源”)正式達(dá)成深度合作,攜手開啟能源技術(shù)革新新篇章。雙方將依托英飛凌領(lǐng)先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技術(shù),賦能為光能源研發(fā)更緊湊、高效的通用固態(tài)變壓器(SST)產(chǎn)品,大幅提升其在儲(chǔ)能系統(tǒng)與充電樁領(lǐng)域的應(yīng)用效能。雙方還計(jì)劃攜手將英飛凌全新碳化硅模塊引入數(shù)據(jù)中心SST應(yīng)用領(lǐng)域,提前布局SST在數(shù)據(jù)中心爆發(fā)式增長前的戰(zhàn)略機(jī)遇,共同推動(dòng)能源技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步與廣泛應(yīng)用。

在電力系統(tǒng)中,可靠性是SST穩(wěn)定運(yùn)行、保障供電連續(xù)性的基石,更直接關(guān)乎運(yùn)維成本與整體經(jīng)濟(jì)效益。英飛凌新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2憑借創(chuàng)新設(shè)計(jì),成為SST高可靠性應(yīng)用的理想之選:增強(qiáng)型.XT擴(kuò)散焊技術(shù)大幅提升散熱效率,使SST在高溫工況下穩(wěn)定運(yùn)行,顯著延長系統(tǒng)壽命、增強(qiáng)可靠性;而溝槽柵設(shè)計(jì)與嚴(yán)苛生產(chǎn)管控,使柵極開啟閾值電壓參數(shù)分布更集中,保障多器件并聯(lián)時(shí)的高可靠性,同時(shí)簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)與控制,為SST市場(chǎng)提供了高可靠、易運(yùn)維的優(yōu)質(zhì)解決方案。

CoolSiC™ MOSFET 1200V G2

為光能源在其SST系統(tǒng)中采用1200V TRENCHSTOP™ IGBT7與CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件,并創(chuàng)新性地運(yùn)用混合三電平拓?fù)浼夹g(shù),最高效率突破至98.5%,大幅降低能源損耗,提升能源利用效率;同時(shí),系統(tǒng)尺寸顯著縮減,鏈路結(jié)構(gòu)更精簡,從全鏈路層面顯著提升了系統(tǒng)可靠性,樹立了行業(yè)效率與可靠性的雙重標(biāo)桿。

為光能源第三代固態(tài)變壓器量產(chǎn)款(1.0MW/1.25MW/1.5MW)

英飛凌科技高級(jí)副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人顧怡祥先生表示:“伴隨著能源轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)、固態(tài)變壓器(SST)市場(chǎng)前景廣闊,其可靠性尤為重要。英飛凌深耕碳化硅(SiC)領(lǐng)域二十余年,憑借對(duì)材料的深刻把握與創(chuàng)新工藝,構(gòu)建了遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的可靠性試驗(yàn)體系,輔以嚴(yán)苛生產(chǎn)管控,致力于成為業(yè)內(nèi)更可靠的SiC解決方案供應(yīng)商。面對(duì)SST市場(chǎng)的爆發(fā)式增長,我們已提前布局,以高可靠、高效率的功率半導(dǎo)體解決方案,為全球能源轉(zhuǎn)型注入強(qiáng)勁動(dòng)力,攜手伙伴共創(chuàng)綠色未來!”

為光能源創(chuàng)始人、總經(jīng)理郝翔博士表示:“為光能源以成為能源互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的電能路由器引領(lǐng)者為愿景,專注固態(tài)變壓器(SST)研發(fā)創(chuàng)新,以突破性技術(shù)快速贏得市場(chǎng),不僅SST交付量破百臺(tái),更在光儲(chǔ)充SST全球市場(chǎng)出貨量穩(wěn)居第一。英飛凌作為全球碳化硅功率器件標(biāo)桿, 新一代CoolSiC™ MOSFET G2產(chǎn)品高能效、高可靠性的特點(diǎn),完美契合為光能源對(duì)產(chǎn)品的追求,為SST技術(shù)突破提供堅(jiān)實(shí)支撐。未來,雙方將持續(xù)深化合作,拓展SST應(yīng)用場(chǎng)景,共同打造更高效、安全、可持續(xù)的能源解決方案!

編 輯:魏德齡
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